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„Not sufficiently novel.“ Diesen Reviewer-Kommentar kennt jeder, der an einem ausgereiften Materialsystem forscht. Bei Silizium ist vieles beschrieben. AlN ist als Ultra-Wide-Bandgap-Material dagegen noch ein junges Forschungsfeld, und das hat einen Wert, der in keinem Datenblatt steht: 🔹 Offene Felder: Epitaxie, Dotierung und Bauelementdesign. Hier gibt es noch echte Lücken zu schließen. 🔹 Früh dabei: Wer jetzt in diesem Feld arbeitet, prägt die Methoden, auf die sich spätere Arbeiten beziehen. 🔹 Materialbasis: einkristalline AlN-Wafer aus deutscher PVT-Züchtung. Als Transferpartner des Fraunhofer IISB liefern wir die Wafer, mit denen Sie genau diese offenen Fragen angehen können, statt sich in den letzten Prozentpunkten etablierter Materialien zu verlieren. Und jetzt sind Sie gefragt: An welcher Materialgrenze hängt gerade Ihr spannendstes Projekt? Fraunhofer IISB #Halbleiterforschung #UWBG #Epitaxie #LZEGmbH

SiC und GaN sind nicht am Ende. Aber ihr theoretisches Limit liegt niedriger als das von AlN, und Forschungsroadmaps denken heute schon über das Limit hinaus. Wer heute Bauelemente für die nächste Dekade plant, sollte die Materialfrage früh stellen. AlN hat als Ultra-Wide-Bandgap-Material ein höheres theoretisches Potenzial bei der Durchbruchfeldstärke. Die Forschung ordnet das klar ein: 🔹 AlN ist langfristig das beste Substrat für Al-reiche Transistoren, „bei aller heutigen Unreife“ (Abid et al., ISPSD 2020). 🔹 Vorteile gegenüber Fremdsubstraten: bessere Kristallqualität und Wärmeleitfähigkeit. Der Einstieg muss dabei kein Großprojekt sein. Als Transferpartner des Fraunhofer IISB liefern wir einkristalline AlN-Wafer aus deutscher PVT-Züchtung, ohne Mindestmengen. Das ist ideal für F&E-Vorhaben, Machbarkeitsstudien und Pilotprojekte. Welches UWBG-Material hat für Sie das größte Zukunftspotenzial: AlN, Ga₂O₃ oder Diamant? Mehr erfahren: https://lnkd.in/dJvr7Zqa Fraunhofer IISB · FAU Erlangen-Nürnberg #UWBG #SemiconductorResearch #Leistungselektronik #LZEGmbH #TurningScienceIntoSolutions

12 bis 15 MV/cm. So hoch gibt die Fachliteratur die theoretische Durchbruchfeldstärke von Aluminiumnitrid an, deutlich über SiC und GaN. Wie viel davon ist heute im Bauelement erreichbar? Ein ehrlicher Blick auf die Zahlen: 🔹 Theoretisches Materiallimit: rund 12 bis 15 MV/cm (Literaturwerte). 🔹 Real gemessen: IISB-koautorierte Forschung zeigt an AlGaN-Kanal-HEMTs 3,5 MV/cm bis nahe 6 MV/cm an isolierten Kontaktstrukturen. Laut Autoren liegt das deutlich über SiC und GaN (Abid et al., ISPSD 2020). Die Lücke zwischen Theorie und Messung ist kein Makel. Sie ist das eigentliche Forschungsfeld. Dieses Potenzial in Bauelemente zu übersetzen, ist anspruchsvolle Arbeit, und genau dort setzen Teams an, die an den physikalischen Grenzen heutiger Materialien forschen. Als Transferpartner des Fraunhofer IISB bringen wir einkristalline AlN-Wafer aus der Forschung in die Anwendung. Mehr erfahren: https://lnkd.in/dJvr7Zqa Fraunhofer IISB · FAU Erlangen-Nürnberg #UWBG #SemiconductorResearch #AluminiumNitrid #LZEGmbH #TurningScienceIntoSolutions

Der nächste Sprung in der Leistungselektronik beginnt beim Material. Das theoretische Limit von AlN ist ein Sprung gegenüber SiC und GaN. Den Weg dahin geht die Forschung Schritt für Schritt, und die ersten Etappen sind gemessen: 🔹 Sperrfähigkeit: Erste HEMT-Generationen erreichten bis 2,2 kV an Testtransistoren (Ferdinand-Braun-Institut auf Wafer des Fraunhofer IISB). 🔹 Schalten: Dynamisches Schalten wurde im Labor demonstriert (ISPSD 2025). 🔹 Leistungsdichte: Ein Ergebnis am FBH erreichte auf AlN-Wafer eine Rekord-Leistungsdichte von 1,17 GW/cm². 🔹 Thermik: Hinzu kommt eine sehr gute Wärmeleitfähigkeit (Einkristall-Literaturwert ~340 W/mK). Zur Einordnung: Das sind Forschungsprototypen, keine Serienprodukte. Bei sehr hohen Spannungen zählt nicht die Sperrspannung allein, sondern ihre Relation zu Größe, Effizienz und Wärme. Genau dort öffnet AlN Spielraum für Bauelemente, die heute an Materialgrenzen scheitern. Mehr erfahren: https://lnkd.in/dJvr7Zqa Fraunhofer IISB · Ferdinand-Braun-Institut (FBH) #PowerElectronics #UWBG #GaNHEMT #ThermalManagement #LZEGmbH

Störung an der Anlage im Reinraum, Nachtschicht, der Hersteller-Support ist nicht erreichbar. Die Lösung steht irgendwo in 4.000 Seiten Dokumentation – und ein Cloud-Chatbot ist hier keine Option. L-LLM4Maintenance beantwortet Wartungsfragen direkt an der Anlage: in normaler Sprache, mit Fundstelle (Dokument und Seite) und mit Rückfragen, wenn die Fehlerbeschreibung noch nicht eindeutig ist. Wartungshandbücher, Datenblätter und Serviceberichte werden einmal eingelesen – danach läuft alles lokal. Lokal heißt hier: auf einem Industrie-Laptop oder Edge-Modul, ohne Cloud, auf Wunsch ganz ohne Netzwerkverbindung (air-gapped). Kein Datenabfluss, keine externen Abhängigkeiten – ausgelegt für Halbleiterfertigung, Offshore-Wind, KRITIS und Verteidigung. Entwickelt am Fraunhofer IISB in Erlangen, Markteinführung durch die LZE GmbH. Wir zeigen das System live – mit Ihren eigenen Unterlagen. #EdgeAI #Datensouveränität #Instandhaltung #Halbleiter #KRITIS

Fehlercode an der Spindel, Maschine steht. Die Antwort steht auf Seite 142 des Wartungshandbuchs – die Frage ist, wer sie in der Nachtschicht findet. L-LLM4Maintenance macht technische Dokumentation direkt an der Maschine nutzbar. Wartungshandbücher, Datenblätter und Serviceberichte werden einmal eingelesen; danach beantwortet das System Fragen in normaler Sprache – mit Fundstelle (Dokument und Seite) und mit Rückfragen, wenn die Fehlerbeschreibung noch nicht eindeutig ist. Der Assistent läuft vollständig lokal: auf einem Industrie-Laptop oder Edge-Modul, ohne Cloud, auf Wunsch ohne Internetverbindung. Die Dokumente verlassen das Werk nicht. Entwickelt am Fraunhofer IISB in Erlangen, Markteinführung durch die LZE GmbH. Wir zeigen das System live – mit Ihren eigenen Unterlagen. #Instandhaltung #Maschinenbau #Produktion #EdgeAI